Trench-gate N-chanel power MOSFET

Особенности:
Силовые N-канальные Trench и TrenchT2 MOSFET транзисторы IXYS предназначены коммутации высоких токов при низком напряжении.

• Силовые Trench MOSFET
  Отличаются низким сопротивлением RDS (ON), низким уровенем рассеиваемой мощности, широким диапазоном рабочих температур (Tj от -40 ° C до 175°C).
  Обозначение: ...T
• Силовые Trench HiPerFET
  Созданы на базе Trench MOSFET, дополнительно комплектуются быстрым внутренним диодом.
  Быстрый внутренний HiPerFET диод обеспечивает низкий заряд обратного восстановления (Qrr) и отличные характеристики dV/dt, что дополнительно улучшает надёжность устройства.
• Силовые TrenchT2 MOSFET
  Cледующее поколение Trench.
  Пониженное тепловыделением за счёт дальнейшего снижения сопротивления в открытом состоянии и малых потерь при переключении.
  Отличаются быстрым переключением, низкой индуктивностью корпусов, устойчивостью в лавинном режиме, работоспособностью до 175°С.
  Обозначение: ...T2
• Силовые TrenchT2 HiPerFET
  Созданы на базе TrenchT2 MOSFET, дополнительно комплектуются быстрым внутренним HiPerFET диодом.
  Это обеспечивает низкий заряд обратного восстановления (Qrr) и отличные характеристики dV/dt, что повышает надёжность устройства.

Области применения:
Силовые Trench/TrenchT2 Т-канальные MOSFET транзисторы IXYS подходят для применения в зарядных устройствах, синхронных выпрямителях, DC/DC преобразователях, силовом электроприводе, системах автономного электропитания (SMPS и UPS), системах коммутации электроэнергии в сетях 24V/48V, системах распределения электроэнергии, усилителях мощности.