Trench-gate N-chanel power MOSFET

Особенности:
Силовые N-канальные Trench и TrenchT2 MOSFET транзисторы IXYS предназначены коммутации высоких токов при низком напряжении.

  • Силовые Trench MOSFET
    Отличаются низким сопротивлением RDS (ON), низким уровенем рассеиваемой мощности, широким диапазоном рабочих температур (Tj от -40 ° C до 175°C).
    Обозначение: ...T
  • Силовые Trench HiPerFET
    Созданы на базе Trench MOSFET, дополнительно комплектуются быстрым внутренним диодом.
    Быстрый внутренний HiPerFET диод обеспечивает низкий заряд обратного восстановления (Qrr) и отличные характеристики dV/dt, что дополнительно улучшает надёжность устройства.
  • Силовые TrenchT2 MOSFET
    Cледующее поколение Trench.
    Пониженное тепловыделением за счёт дальнейшего снижения сопротивления в открытом состоянии и малых потерь при переключении.
    Отличаются быстрым переключением, низкой индуктивностью корпусов, устойчивостью в лавинном режиме, работоспособностью до 175°С.
    Обозначение: ...T2
  • Силовые TrenchT2 HiPerFET
    Созданы на базе TrenchT2 MOSFET, дополнительно комплектуются быстрым внутренним HiPerFET диодом.
    Это обеспечивает низкий заряд обратного восстановления (Qrr) и отличные характеристики dV/dt, что повышает надёжность устройства.

Области применения:
Силовые Trench/TrenchT2 Т-канальные MOSFET транзисторы IXYS подходят для применения в зарядных устройствах, синхронных выпрямителях, DC/DC преобразователях, силовом электроприводе, системах автономного электропитания (SMPS и UPS), системах коммутации электроэнергии в сетях 24V/48V, системах распределения электроэнергии, усилителях мощности.

Группа компаний «Энергосила»
107497, г. Москва, ул. Монтажная, д.9, стр.1, пом. 13Н/3
+7 (499) 350-54-60
(многоканальный)

Копирайт ООО «ЭнергоСила» © 2005-2013 г.