IGBT XPT транзисторы дискретные

Особенности:

• Допускается параллельное соединение
  (положительная зависимость падения напряжения на транзисторе от температуры)
• Надёжность XPT технологии (Xtreme light Punch Through):
  - выдерживают режим К.З. до 10 µsec.
  - квадратная зона RBSOA @ 3 x Ic
  - низкий заряд затвора
  - рабочая температура до 175°C  
• Доступны конфигурации со встроенным SONIC™ диодом:
  - быстрое и мягкое переключение способствует снижению "дребезга" и уменьшению ЭМИ.
  - малое падение на обратном диоде