IGBT XPT транзисторы дискретные

Особенности:

  • Допускается параллельное соединение
    (положительная зависимость падения напряжения на транзисторе от температуры)
  • Надёжность XPT технологии (Xtreme light Punch Through):
    - выдерживают режим К.З. до 10 µsec.
    - квадратная зона RBSOA @ 3 x Ic
    - низкий заряд затвора
    - рабочая температура до 175°C
     
  • Доступны конфигурации со встроенным SONIC™ диодом:
    - быстрое и мягкое переключение способствует снижению "дребезга" и уменьшению ЭМИ.
    - малое падение на обратном диоде
IGBT XPT транзисторы дискретные
Группа компаний «Энергосила»
129344 г. Москва, ул. Искры, д. 31, кор. 1, помещение II
+7 (499) 703-05-73
(многоканальный)

Копирайт ООО «ЭнергоСила» © 2005-2013 г.