N-Channel MOSFET дискретные со встроенными быстрыми диодами (HiPerFETs)

Особенности:
  • VDSS от 60V до 1200V
  • ID(25) от 3A до 340A
  • Лавинная устойчивость
  • Высокая надёжность
  • Устойчивость к высокому dv/dt
  • Технология HiPerFET™ - встроенный быстрый диод
  • Низкое значение RDS(on)
  • Q3-класс: рекордно низкий заряд затвора, работа до 27 МГц
  • Q2-класс: очень низкий заряд затвора, очень быстрое переключение
  • Q-класс: низкий заряд затвора, быстрое переключение
Группа компаний «Энергосила»
107497, г. Москва, ул. Монтажная, д.9, стр.1, пом. 13Н/3
+7 (499) 350-54-60
(многоканальный)

Копирайт ООО «ЭнергоСила» © 2005-2013 г.